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NVM IP:驾驭先进节点设计的存储利器

杜芹 半导体行业观察
2024-09-06

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当前,随着摩尔定律的逐渐走向极限,芯片制造业已经跨越了3纳米节点,正朝着2纳米的方向迈进。这一技术演进带来的不仅仅是节点尺寸的缩小,更是对集成度、功耗和性能的极致追求。在这个挑战日益严峻的背景下,芯片设计者面临着前所未有的压力和机遇。


与此同时,内存技术作为芯片设计的重要组成部分,也受到了极大的关注和挑战。NVM IP技术的涌现,为解决这些挑战提供了一条有力的途径。相较于传统晶圆工艺上提供的eFuse,NVM IP以其更高的密度、更低的功耗以及更快的速度等优势,成为了先进节点设计中不可或缺的一环。


然而,要将NVM IP技术有效地融入到先进节点的设计中,并不是易事。


NVM的发展历程和作用


NVM指的是非易失性存储器(Non-Volatile Memory),是一种可以长期保存数据而无需持续供电的存储技术。与易失性存储器(如RAM)不同,NVM可以在断电情况下保持数据完好。这使得它在许多应用中非常有用,比如计算机的启动程序、固件、嵌入式系统和移动设备中的存储等。


早期,芯片设计中使用的主要NVM是需增加工艺复杂度的E方(EEPROM和Flash存储器。后来,新的非易失性存储器技术不断涌现,以满足不断增长的市场需求和技术挑战。NVM 技术包括了AntiFuse反熔丝OTP与不增加工艺的EEPROM等,这些技术在功耗、速度、密度和耐用性等方面都有所改进。


随着新型NVM技术的涌现,产生了对应的 NVM IP。嵌入式NVM IP是指集成在芯片中的非易失性存储器,可以根据应用需求进行配置。NVM IP核心可以用于产品ID识别、缺陷修补、存储配置数据、程序代码、密钥、校准参数等,而不需要外部组件。


目前,NVM IP大致可分类为OTP(一次编程)、MTP(多次编程)和FTP(几次编程)。其背后的发展缘由大抵如下:


伴随着芯片功能的增加,在网络时代安全性变得越来越重要的情况下,对芯片存储方案的变化和发展。原本靠晶圆厂提供的eFuse存储方案由于成本高、读写速度慢、安全性低、不灵活以及潜在的可靠性问题,逐渐无法满足应用需求的问题,因而OTP IP(One-Time Programmable Intellectual Property,一次性可编程知识产权)首先被发展出来取代eFuse/mask ROM。


与eFuse和mask ROM相比,OTP IP有更佳的功耗、性能和面积(PPA),并且能够实现更高容量,范围从256Kb到1Mb。与eFuse不同的是,OTP IP允许在生产过程中进行编程,这使得它更加灵活,并且能够满足微控制器(MCU)等应用的资料储存需求。同时,OTP IP 也更适合于安全性应用和密钥存储,相比之下比eFuse更为可靠。


随后,MTP(Multiple Times Programmable,多次编程)与eFlash这样能满足多次重复更新的IP也陆续成熟,拓展至各个晶圆工艺节点,让许多多样性功能被实现,也让原本外挂在系统上的ROM/EEPROM能微缩到芯片中,以降低成本,并提高了芯片的集成度和性能。


如今,NVM IP已在许多应用上已经不可或缺,例如像面板驱动IC(DDIC/TDDI),电源管理IC(PMIC),图像显示芯片(CIS)等皆须要使用到OTP/MTP。具体而言,OTP主要用于一次性编程的场景,  适用于一次性校正、ID纪录、安全性密钥;MTP可以用于数据编程需要频繁更新的场景,例如蓝牙芯片、DDR5 SPD等需要10K~100K次资料更新;FTP则能够用于多次校准参数的场景,例如电源管理IC等模拟电路为主的应用。


目前,新思科技是业内少有的已经推出了成熟且全面的NVM IP解决方案。由于NVM是不允许任何数据错误或丢失,在开发过程皆须完成严苛的功能验证,从开发到设计验证得花上一至两年时间,先在晶圆厂工艺完成验证,才能提供给客户使用,除了众多优点外,NVM IP成本也相对较高。新思科技NVM解决方案的优势在于,能够提供不增加光罩、建立于晶圆厂标准工艺的NVM,有效平衡了成本和性能。


在OTP部分,新思科技提供从0.18um到最先进工艺N4P(N3P开发中)的反熔丝(AntiFuse)OTP解决方案,支持大容量同时皆内建Charge Pump,能满足从产测到客户应用端编程需求,也具备最佳的可靠度与安全性。


在MTP方面,新思科技提供从0.18um到40nm解决方案,能满足几次到400K次更新的应用需求,支持最大8Kb容量,可运作于5V,3.3V甚至业界唯一的2.5V MTP解决方案,另外也支持RFID应用,能达到所有操作皆在10uA以下的超低功耗。40nm以下暂无MTP解决方案。


NVM IP的发展为嵌入式存储领域带来了新的机遇,并为开发人员提供了更多选择来满足其应用需求。然而,NVM IP的前路上也有着自己的难题。


新兴市场、先进工艺对NVM IP提出更高要求


随着高性能计算(HPC)、物联网和人工智能芯片对安全存储敏感数据的需求不断增长,嵌入式非易失性存储器(eNVM)在这些新兴市场中的高级节点芯片中得到了越来越广泛的应用。然而,先进工艺也带来了新的挑战,例如掩膜组成本和晶圆平均售价 (WASP) 的攀升,这使得嵌入式 NVM IP 的可靠性和高产率变得更加重要。


飙升的设计成本要求嵌入式IP既可靠又高产


在工艺节点从FinFET开始,OTP的开发也面临着更多挑战,也延长了开发与验证周期。晶圆厂为避免工艺微调造成NVM必须重新设计的情况,要求等工艺稳定后才允许OTP进行开发,这就拉长了OTP推出的时程。


此外,随着工艺制程的不断微缩,OTP的面积也相应大幅缩减。然而,反熔丝的编程过程需要使用电荷泵(Charge Pump)产生高压。在先进工艺中,I/O电压已经降至1.8V或1.2V,甚至随着FinFET技术的发展进一步下降至GAA(环绕栅极晶体管)工艺节点,已经没有可用的I/O元件。因此,必须依靠核心器件(core device)来发展电荷泵及其周边电路,以确保在这些先进工艺上仍然能有可靠的OTP可用。这种依赖核心器件的设计方法使得OTP成为了一种近乎精品的独门工艺。


新思科技的OTP方案, 具备三道保险来保证最佳良率与可靠度:包含采用两倍实体cell让每个比特都有两倍保障;也允许在同一I/O单元内进行1个比特的错误修补;另有预留修补区块可置换超过1个比特的不良。


此外,该方案将ECC(错误校正码)作为标准预设,用户可以根据需要选择开启或关闭。这使得该方案不仅适用于一般消费应用,还能满足高可靠度的工业控制、车用电子和数据中心等领域的需求。


值得一提的是,新思科技的OTP方案不仅能确保在工厂进行编程时的高良率,还能在应用端编程时同样达到最佳良率。这种设计避免了因OTP编程失败而导致芯片报废的风险,大幅提高了芯片的整体可靠性和使用寿命。


新思科技在台积电5nm上的OTP解决方案


新思科技的OTP解决方案已在台积电N5工艺上完成验证,并获得TSMC IP9000认证。该OTP IP通过多层金属工艺、扩展电压支持和多种编程选项,能够在各种应用中提供稳定且高效的存储解决方案。


下图展示了新思科技OTP IP在TSMC N5工艺上的实现(IP9000),并详细描述了其特性和功能。新思科技的OTP解决方案逻辑位数/数据宽度范围从16Kb到128Kb,采用8层金属工艺,内置APB总线接口的RTL控制器,便于客户整合,无需自行开发控制模块。


新思科技OTP IP的特性和功能


此外,OTP具有多项安全功能,包括独立的读取接口、字级和宏级别的编程和读取锁定,确保数据在开机上电时不会发生误操作,并且每个I/O地址均支持读取或写入锁定功能。同时,能够检测不正常电压以防止黑客绕过或窃取OTP数据或安全密钥。


在台积电的特性测试过程中,新思科技的OTP IP展示了卓越的良率和可靠性,并能在工艺、电压、温度(PVT)条件下稳定运行。


在TT、FF、SS、FS和SF工艺分支下的硅片特性测试结果显示,OTP IP几乎可以达到100%输入和编程良率,在测试的约1200Mb中,仅有1个位失败,但已成功修复。相比于之前的OTP技术,新的OTP技术在单次脉冲编程中显著提升了效率(在360Mb中仅17个位失败)。无需读取调节器(Read Regulator即可从核心电压(VDD)读取。在广泛的VDDIO电压范围内进行了特性表征,保证了电压适应性。


新思科技 OTP在TSMC N5上实现跨PVT的卓越读取利润率


此外,该OTP解决方案从三个不连续批次中进行了硅片资格认证,结果显示:在高温储存寿命(HTSL)和高温操作寿命(HTOL)条件下OTP IP的表现均相当出色,HTSL测试温度为150°C(图a),HTOL测试温度为125°C(图b);所有读取点均未显示出位单元退化(图c),确保了数据的长期可靠性;完成了资格认证,无需使用ECC(错误校正码),进一步简化了设计和使用。


图a:HTSL在两种读取模式下的测试结果

图b:HTOL在两种读取模式下的测试结果

图c:HTOL 在读取点显示稳定的位单元电流


结语


在半导体行业的演进过程中,NVM IP技术的应用为芯片设计者带来了前所未有的机遇和挑战。通过突破传统存储器技术的限制,NVM IP技术使得在更小的尺寸上实现更高的性能和功能成为可能,推动着芯片设计迈入新的时代。


在这个变革的浪潮中,新思科技的NVM IP凭借其安全、可靠和高产率的特性,为新兴市场和先进工艺提供了全面的NVM解决方案。展望未来,NVM IP技术将继续发挥重要作用,引领芯片设计不断创新,推动半导体产业发展。




6月21日,新思科技将针对如何在SoC设计中使用NVM带来一场干货分享,欢迎注册报名,与我们共同探讨!


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*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。



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