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近日，北京理工大学物理学院姚裕贵教授团队在PT对称（空间-时间反演联合对称）的反铁磁体系中提出了面内磁场诱导的反常霍尔效应（IPAHE）。该项研究成果严格论证了在PT对称反铁磁体系中实现IPAHE的最低对称性要求，详细列出了所有满足条件的磁点群，提供了有效地搜索和设计具有IPAHE的反铁磁材料的方法，将促进它们在低功耗自旋电子学上的应用。相关成果近期发表于《物理评论快报》(Physical

转载自公众平台：npj计算材料学本文以传播知识为目的，如有侵权请后台联系我们，我们将在第一时间删除。目前所发现的大多数二维铁磁半导体材料的居里温度远低于室温，限制了其实际的应用。而居里温度与材料的磁交换相互作用强度有关，寻找合适的方法调控材料的磁交换相互作用显得尤为重要。Fig.

Passerini教授（德国科学院院士）；2019年7月至2023年3月先后在德国亥姆霍兹国家研究中心联合会乌尔姆研究所、卡尔斯鲁厄理工学院-纳米技术研究所从事博士后研究工作，合作导师Stefano

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Jha利用基于第一性原理的密度泛函理论，详细研究了原始、空位和掺杂碳(C)的o-B2N2单分子层的结构、电子性质和析氢反应（HER）活性。计算方法本文所有需要的计算都使用Quantum

Ha的收敛准则。此外，作者使用完LST/QST方法来定位基元步骤中的过渡状态，并通过振动频率分析进一步确认每个过渡状态的正确性，以确保每个过渡状态只有一个虚频。结果与讨论图1.

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院士化学家。香港人。1978年毕业于香港大学化学系，获学士学位；1980年获该校博士学位。1990年提升为教授，1992年成为香港大学化学系Dr.Hui

Mater.等期刊上发表50余篇论文；入选ESI高被引论文21篇；获授权发明专利42项；合作编写英文书籍章节2章；应邀作国际会议邀请报告30余次；应邀担任IEEE-NANO

上海科技大学物质科学与技术学院郑帆组主要致力于利用第一性原理和多尺度模拟方法，研究钙钛矿太阳能电池、界面和表面电荷传输、低维/纳米材料电子结构特性等https://spst.shanghaitech.edu.cn/2021/0705/c2349a67292/page.htm现诚邀优秀博士加盟本研究组，汇报对象为研究组PI。

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背景介绍随着信息的爆炸式增长和集成电路的快速发展，基于冯·诺依曼架构的中央计算单元已不再适合各种输入信息的处理。相比之下，大脑在计算和处理信息方面具有出色的特性，如并行计算、多模态感知和低功耗。开发能够有效实现传感和编码能力的人工类脑感知硬件具有重要意义。多感觉神经形态器件(MND)在大数据时代在克服冯·诺依曼的结构瓶颈方面具有广阔的潜力。然而，目前的多感觉人工神经形态系统主要基于单一的非易失性存储器或非热敏性的易失性突触器件，这限制了生物多感觉的感知范围以及神经形态计算系统的灵活性和计算效率。成果简介近日，福州大学陈惠鹏研究员课题组发展了一种基于浮栅光电晶体管(FGT)结构的、具有温度依赖性的存储/突触混合人工神经形态器件。采用原位预保护低温热溶剂法制备的CsPbBr₃/TiO₂核壳纳米晶（NCs)作为光敏层。得益于钙钛矿纳米晶体(PeNCs)的优异的光吸收特性和CsPbBr₃/TiO₂核壳结构良好的电荷分离特性，该器件在室温下具有59.6

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效率和准确性的巨大潜力。」参考内容：https://techxplore.com/news/2023-03-ai-brain-core-materials-oled.html

2p轨道的强杂化能加速电子从Cu-Ni双位点向NO3-的转移；（3）Cu/Ni-NC能有效地降低速率决定步骤能垒，抑制N-N偶联生成N2O和N2等副产物。N-Coordinated

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V。这项工作突出了非均相催化剂和螯合配体之间的非共价相互作用在优化电催化活性和耐久性方面的重要性，为调节多相催化剂的催化性能提供了一种有效的策略。Non-Covalent

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length更改为4，单击Build按钮，关闭对话框。显示一个由8个C原子组成的聚合物链，但这是聚合物理想的描述而不是真实的。可以通过建立包含聚合物的无定形晶胞构建真实聚合物结构。Amorphous

DFT计算已逐渐成为高水平期刊标配，它不仅能够预测材料性质、还能对实验结果进行解释与分析，对实验对象进行高通量筛选、优化实验方案，提高论文严谨性和文章档次。VASP是最受欢迎的DFT计算软件之一，每年发表文章超过1万篇。为了让科研人员尽快上手DFT计算，华算科技推出《VASP计算实例系列课程》，针对模型搭建、半导体缺陷、吸附与催化、电池材料四大专题，讲解VASP操作流程。8小时视频干货，全是实例讲解，朱老师带你轻松入门VASP。添加下方微信好友回复“004”，免费下载。添加微信好友回复：004讲师介绍朱老师，华算科技全职技术专家，同济大学本科直接攻读博士学位，海外3年以上博后经历，发表高质量独立一作SCI论文30篇，回国后被授予深圳市海外高层次人才，拥有14年VASP重度使用经验，成功讲授50场VASP计算培训和超过6万人的DFT计算公开课。课程内容【专题1】模型构建：晶体、表面、二维结构、纳米带、纳米管、量子点的计算模型构建方法（2小时）构建模型是开展计算和分析数据的前提，模型的合理性比软件参数设置对结果有着更大的影响。本讲内容将介绍常见晶体、表面、二维结构、纳米带、纳米管、量子点的构建方法，让大家能够将实验研究对象与理论模型建立联系，为后续计算工作打下基础。【专题2】VASP半导体缺陷计算：电荷分布、能带结构、缺陷占位等（2小时）大多数电子产品的核心部件都是半导体材料，从最初的Si到现在的GaN，人们对新型半导体材料的探索从来没有停止过。VASP擅长研究半导体材料的电荷分布、能带结构、缺陷占位等物理问题，能够为器件性能的优化提高理论指导。【专题3】VASP吸附与催化计算：吸附位点与构型、与催化剂的相互作用机理（2小时）催化剂能够降低化学反应的能垒，提高反应速率，广泛应用工业生产中。VASP能够计算常见化学反应中反应物、中间体、产物在催化剂表面的吸附位点与构型、与催化剂的相互作用机理，这些微观性质一般很难通过实验手段测量。【专题4】VASP电池计算：反应过程、离子容量、电压、离子扩散路径与扩散能垒（2小时）金属离子（Li、Na、K、Mg离子等）电池由于具有高能量密度，低成本以及环境友好等特点而被人们广泛关注。VASP能够计算电化学反应过程、离子容量、电压、离子扩散路径与扩散能垒，为电池容量与续航时间的提升提高理论依据。课程免费下载

非线性霍尔效应WTe2中受电场调控的贝里曲率偶极子贝里曲率偶极子在各类非线性量子现象中均起到十分重要的作用。但要实现非零贝里曲率偶极子，就对输运平面的对称性有要求，最大程度只能是单镜像线，这就极大地限制了它在材料中的应用。这里，我们通过探测非线性霍尔效应，证明了在WTe2中施加直流电场可以产生贝里曲率偶极子，从而打破了对称性的限制。进一步，我们观测到贝里曲率偶极矩的大小与直流电场呈线性关系，极化方向由电场和晶轴的相对方向控制，进而可以通过改变直流电场的极性使其发生反转。该研究为在材料体系中产生和调控贝里曲率偶极子提供了一条途径，从而促进了非线性量子器件的发展。(任雅宁)Control

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第一章：CIF文件查找与下载，Materials

第五届平面波密度泛函材料模拟大会主办单位：北京龙讯旷腾科技有限公司举办时间：2023年3月25日（全天）举办场地：中国福建

h（725次循环）。作者通过原子理论计算进一步模拟了ORR过程，并研究了Fe-Se/NC优异催化活性的来源。其中，Fe-Se/NC、Fe/NC和Se/NC催化剂对氧气的吸附能分别为-1.35

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