π型滤波、LC振荡、DC-DC续流等电路中，本文简单介绍电感的选型。以Sunlord的电感SPEC为例，电感主要有五大参数。L：感值，一般误差有10%或者20%，测试条件是1MHz频率。DCR：DC

500mA的电源，经过一个DCR=1R的磁珠时，电压会衰减500mA*1R=0.5V。一般情况下，交流阻抗越大，滤除噪声好，但是DCR也会大，对有用信号有衰减，所以这是一个权衡的过程。③

多点接地？详解二极管限幅电路和钳位电路硬件项目如何避免改版？MOS的知识，看这一篇就可以了深入剖析锂电池保护电路的工作原理小小的屏蔽罩，大大的门道！——

硬件的小伙伴应该都有“烧设备”的经历，芯片摸上去温温的，有的甚至烫手。有些芯片在正常工作时，功耗很大，温度也很高，需要涂散热材料。本文主要讨论芯片的散热/发热、热阻、温升、热设计等概念。开盖后的酷睿i9-9900K上的硅脂散热材料▉

还记得上大学时，参加飞思卡尔智能车比赛，做的一块板子，因为电源走线过细，导致一上电线直接烧断了，只能外部飞线代替。上班了，公司的PCB一般都是6层、8层、10层，摆件密，空间非常有限，有时候为了能走粗一点，不断的压缩空间；有时候空间实在不够，在layout的淫威下，只能酌情降低走线宽度。按照经验，一般1A的电流需要走1mm的宽度，那是不是10A就得走10mm宽？PCB空间足够，当然可以这么走，某些情况下而且大电流走线越粗越好。但是在多层PCB中，空间有限的情况下，10mm可能根本就走不下去。▉

地的处理在电源完整性中起着至关重要的一环，低速电路中，大家对电源完整性和信号完整性不是很在意，但是在高速电路中，电源完整性（PI）和信号完整性（SI）虽说是两个不同概念，但却是相辅相成的关系，都很重要。本文主要聊一聊电子设备中接地的一些概念。▉

负限幅电路在正半周时，二极管截止，Vout=Vin，即波形跟随；在负半周Vin电压小于等于-0.7V时，二极管会导通，Vout电压会被钳位在-0.7V。▉

上个礼拜在上海出差3天，问题解决了，PCB需要改版，自己的一点感想分享给大家。硬件和软件不同，出BUG了可以OTA或者FOTA升级一下，不济请FAE去现场升级一下软件，再不济请客户自己升级。硬件出错可能就是致命的，尤其是量产的项目，你经常看到某某品牌车辆召回，都是因为要解决硬件问题。这其实给企业造成了很大的影响，一方面是品牌受到影响，另一方面这些出货的产品可能要面临回炉重造，甚至改版才能解决问题，这其中的时间成本，人力成本可想而知。所以今天的话题是硬件项目如何避免改版？在某些公司的KPI上也有明确说明，硬件改版次数占很大的一个打分占比，最好是1~2版搞定，这对工程师的要求很高，下面我总结了几点常用的小技巧。▉

Transistor，应用广泛，MOSFET一般称MOS管。MOSFET有增强型和耗尽型两大类，增强型和耗尽型每一类下面都有NMOS和PMOS。增强型MOS管的英文为Enhancement

NTC接到电池负极；ID是电池在位检测，一般是47K/10K电阻接到电阻负极，有的是0R电阻；TH和ID均是选配，并不是所有锂电池都有的。接着根据上面这么电路，来看一下如下几种保护的工作原理吧！▉

做项目时，在屏蔽罩上吃过亏，今天的文章简单科普一下。我们经常在很多PCB上看到屏蔽罩，尤其是手机等消费类电子产品里面。某手机的PCB上面满是屏蔽罩屏蔽罩多见于手机PCB，主要是因为手机上有GPS，BT，Wifi，2G/3G/4G/5G等多种无线通信电路，有的如敏感的模拟电路，DC-DC开关电源电路，一般都需要用屏蔽罩隔离，一方面是为了不影响其他电路，另一方面是防止其他电路影响自己。这是其中一个作用，防止电磁干扰；屏蔽罩另外一个作用是防止撞件，PCB

信号完整性在高速电路中有着至关重要的作用，而很多信号完整性问题需要用「阻抗」的概念来解释和描述。在高频信号下，很多器件失去了原有的特性，如我们经常听到的“高频时电阻不再是电阻，电容不再是电容”，这是咋回事呢？那就看今天的文章吧！

如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？MOS管Vgs小平台带着这个疑问，我们尝试将电阻R1由5K改为1K，再次仿真，发现这个平台变得很小，几乎没有了，这又是为什么呢？MOS管Vgs小平台有改善为了理解这种现象，需要理论知识的支撑。MOS管的等效模型我们通常看到的MOS管图形是左边这种，右边的称为MOS管的等效模型。其中：Cgs称为GS寄生电容，Cgd称为GD寄生电容，输入电容Ciss=Cgs+Cgd，输出电容Coss=Cgd+Cds，反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。如果你不了解MOS管输入输出电容概念，请点击：带你读懂MOS管参数「热阻、输入输出电容及开关时间」米勒效应的罪魁祸首就是米勒电容，米勒效应指其输入输出之间的分布电容Cgd在反相放大的作用下，使得等效输入电容值放大的效应，米勒效应会形成米勒平台。首先我们需要知道的一个点是：因为MOS管制造工艺，必定产生Cgd，也就是米勒电容必定存在，所以米勒效应不可避免。那米勒效应的缺点是什么呢？MOS管的开启是一个从无到有的过程，MOS管D极和S极重叠时间越长，MOS管的导通损耗越大。因为有了米勒电容，有了米勒平台，MOS管的开启时间变长，MOS管的导通损耗必定会增大。仿真时我们将G极电阻R1变小之后，发现米勒平台有改善？原因我们应该都知道了。MOS管的开启可以看做是输入电压通过栅极电阻R1对寄生电容Cgs的充电过程，R1越小，Cgs充电越快，MOS管开启就越快，这是减小栅极电阻，米勒平台有改善的原因。那在米勒平台究竟发生了一些什么？以NMOS管来说，在MOS管开启之前，D极电压是大于G极电压的，随着输入电压的增大，Vgs在增大，Cgd存储的电荷同时需要和输入电压进行中和，因为MOS管完全导通时，G极电压是大于D极电压的。所以在米勒平台，是Cgd充电的过程，这时候Vgs变化则很小，当Cgd和Cgs处在同等水平时，Vgs才开始继续上升。我们以下右图来分析米勒效应，这个电路图是一个什么情况？MOS管D极负载是电感加续流二极管，工作模式和DC-DC

推荐阅读：串口、COM口、UART、TTL、USB、RS-232、RS-485、I2C、SPI、CAN、1-WIRE看下面这个图，大家已经知道今天的主角是UART，我们通常说的串口，UART包含TTL电平和RS-232电平两种，嵌入式系统里面，单片机的串口一般都是TTL电平。今天的内容关于UART的帧格式，比较简单，玩过单片机的小伙伴应该都知道。UART的英文全称是：Universal

前一段时间在公众号发了一篇文章《稳压二极管的串并联》，有一位读者在文章下面评论了一下，我们知道两个稳压管串联起来，可以得到更高的稳压值。读者的问题是：有些双稳压管集成器件，如BAV199，为什么要集成两个？在电路使用中有什么优缺点？因为我没用过BAV199，去网上搜了一下SPEC，发现结构是下面这样的，这并不是两个稳压管，普通的二极管或者肖特基二极管都有可能。继续在网上搜了一下，发现如下的电路图中用到双二极管开关，型号是BAV99，应该和BAV199一个系列的。下面是一个DC-DC

浪涌电流指的是施加规定的脉冲能量波形（如8/20µs）时，压敏电阻的电气特性不会下降的最大电流，从SPEC上可以看到此压敏电阻，在8/20µs脉冲波形下，最大浪涌电流到3A。有这么定义的：1次，以

之前的文章中，有涉及到稳压二极管，本文简单说说稳压二极管的工作原理，参数以及动态电阻特性。▉

写公众号三个月了，聊一聊我写技术文章的这些事情。最开始写技术文章，是在CSDN上，也是很偶然的一个机会，写下了第一篇博客，后面就慢慢地开始写技术文了。在这里插入图片描述截止目前，CSDN博客也快5000粉丝了，累计访问55W+，周排名也进前一百了，说实话，这是刚开始写博客想都不敢想的数据。我干的是硬件开发的工作，公司的研发氛围也比较好，定期会有部门培训，同事之间会写一些技术文档，大家坐在一起培训交流，达到一个共同提高的目的，不管是写文档，还是在网上写博客，我觉得都有很大的好处。首先，人的记忆力是有限的，好记性还不如烂笔头，写下来，日后翻翻，还能回忆起来。其次，一个好的文章，得经得起推敲，在别人推敲之前，我们自己是不是先得推敲一遍。比如，一个分析类的文章，首先先得交代一下背景，问题是怎么产生的，现象是什么；然后再分析，如何分析，分析采取了哪些手段，采取了哪些工具，这些分析步骤得出了哪些结论，这些结论最终得出了什么结果；最后给出这个问题的解决办法，最好加一个后续如何避免此类问题。分析的步骤越多，越能逼近事实的真相，逻辑思维强，经验丰富的工程师，总是能很快定位到问题的原因，否则会像一个无头苍蝇在那里调试，也找不出问题的原因。那么写文档的好处是什么呢？可以帮助你复盘一个问题，尤其是你花了十天半个月才解决的问题，你再回头看看自己解决这个问题，有没有走弯路，有没有遗漏的地方，为什么花费的时间这么长？下面这个图，是我在网上看到的，其实写技术类文章还有其他很多好处，说多了也是泪啊。图片来源网络写博客认识了很多博客好友，天天聚在一起哈哈牛皮，拼数据，每周二爬起来看看周榜排名，看看每天的访问量，时间过得很快，我现在也不屑于和他们拼数据了，因为现在我的数据是最末的。写了一段时间博客，开始就有人私信我了，说他们公司干嘛干嘛的，找我付费写一篇技术文，这也是比较意外的一个收获了。更多的是电子元器件的经销商，他们希望通过优质的技术文，达到提高品牌知名度和营销的目的，这就写了第一篇商业文章，赚了几百块钱，这种意外之财，说实话比发工资还挺让人兴奋的。好的，时间来到了，我为什么写公众号，其实也是一样的，你如果想通过自媒体在商业上有所收获，最好的方式是推销自己，多平台流量自然会更高一些，而且比较好的一个点是：博客适合在电脑端阅读，公众号在手机上阅读，下班坐地铁途中，刷刷公众号文章，它不香吗？写公众号比我想象的要难一百倍，公众号是一个封闭的平台，需要订阅才能收到文章，才会产生阅读量，所以起开始，我的阅读量都是个位数，说实话，这种和博客对比起来的挫败感，还是挺大的。博客因为有SEO，你可能查一些资料，都会查到我写的文章。但是我怎么可能会轻易放弃呢？深知这个道理之后，

Current，输出电流为0时的输入电流，即VOUT空载时输入电流。好的LDO和差的LDO相比较，是在电源纹波抑制比PSRR差不多的时候，静态耗流会更低。关闭功耗：英文Shut

Designer帮你搞定DC-DC电路设计下面的这几篇文章都用到了今天要讲的这个软件。用Tina-TI软件仿真并分析极点和零点用Tina-TI软件仿真并分析RC积分电路和微分电路手把手教

ESD保护器件主要有4大类，TVS二极管、压敏电阻、积层贴片电容器（MLCC）、ESD抑制器，各个器件的应用场景也不太一样。如下是几种保护器件的特征。下图中，放电模型是8kV、150pF/330Ω、接触放电。Vpeak和Vave（Vave指的是30-100ns之间的平均电压）越小，代表静电吸收能力越强，Vpeak和Vave和横坐标构成的图形面积越小，代表静电能力越强。图a，没有保护器件时，Vpeak最大到1500V，然后缓慢下降，Vave也达到400V。图b，对ESD抑制器来说，Vave可抑制在29V，因为触发电压的关系，Vpeak只能抑制在500V左右。图c，100nF的MLCC可能Vpeak抑制在23V左右，但因为电容内部注入过多的ESD电荷，几百纳秒后又发生大的电压峰值。图d，TVS二极管的Vpeak和Vave都比较低。图e，压敏电阻和TVS二极管差不多，Vpeak和Vave都比较低，静电吸收能力强，因为压敏电阻内部带有电容量成分，在Vpeak抑制上比TVS更有力。下图，带有100pF电容量的压敏电阻和100pF的MLCC，压敏电阻的ESD性能比MLCC好得多，压敏电阻除了电容的作用外，还有本身压敏电阻的作用。总结：1、对于MLCC，MLCC主要是靠电容量冲入ESD放电电流，电容量越大，ESD性能越好；高速信号中，电容大又会引起信号失真，电容量小ESD效果不佳，所以一般MLCC用在电源上或者是低速信号上。2、对于TVS，抗ESD性能不错，TVS一般是最常见也是最常用的抗ESD器件。TVS的极间电容可选择性大，小到1pF以下，大的到50-100pF，所以一般在高速，电源或者是低速电路中都可以使用，高速信号中选择极间电容小的TVS，比如USB信号上选择小于1pF的TVS，电源和低速信号，可以选择极间电容稍大的TVS，比如几十pF。3、对于ESD抑制器，内部电容量一般都是1pF以下，因为ESD抑制器的超低电容量，所以ESD抑制器的Vave特性比TVS好，Vpeak特性比TVS差。4、对于压敏电阻来说，价格比TVS低不少，抗ESD性能比TVS差。压敏电阻1pF以下电容较少，所以高速信号上使用会受限，因为内部电容量成分，一般压敏电阻的Vpeak特性比TVS好一点。今天的文章内容到这里就结束了，希望对你有帮助，我们下一期见。——

先来闲扯几句，虽然读者不多，但是零零散散有些留言，提出一些问题或者疑问，我在留言并不太好回复，有问题可以加微信（微信二维码我放在菜单里面），我会拉进技术交流群，大家一起讨论，就这样，下面进入今天的正题。利用三极管和稳压管可以构成一个稳压保护电路，这个电路经常用来作过压保护。先来看一下下面电路稳压的原理R1和Z1构成简单的稳压电路，当VIN（V15）的电压高于Z1的稳压值Vz时，Z1的负极被稳压在Vz。Z1的负极连接到三极管的基极，三极管发射极E是输出，形成了一个射极跟随器，也就是说，E极的电压随着B电压变化而变化，但BE之间有一个压降，一般硅管0.7V左右，假设B极是6.7V，那E极就是6.7-0.7=6V，所以就有一个公式VOUT=Vz-Vbe，可以根据VOUT来选择合适的稳压管。如下用Tina-TI进行仿真验证Z1是5.1V稳压管，限流电阻R1是1.25K，输入V1=30V，仿真结果VF1=4.14V，我们发现这个电路是可以用的。那又有人会说了，三极管导通之后，30V会直接从CE到VF1，为什么输出还是4.14V呢？三极管导通之后，E点电压会升高，当升高到Vbe

最左边绿色部分，ID和UD几乎不变，因为这时候UGS没有上升到阈值电压，MOS管是关闭状态，把UGS从0增大到阈值电压前这段时间叫Turn-on

如下是一个DC-DC的参考电路图，可以看到器件很多，其中很多参数需要调试，比如频率设置、选电感值、COMP补偿电路等等，这些参数的调试需要制作PCB板后才可以进行，无形增加了很多成本，同时也包括时间成本。今天推荐的是一个DC-DC设计工具，来自MPS，在电路设计前，可以进行仿真，帮你搞定参数设计和提前了解DC-DC的特性。因为是MPS出品的工具，所以内部的DC-DC型号都是MPS自家的。首先是启动界面，功能分区非常明显，很容易上手。我们随机选择一个型号MP4570，然后原理图及参数就会显示出来，左边可以看到输出电流、输入输出电压、开关频率、DC-DC效率、输入纹波、输出纹波等参数，右边则是完整的电路图。你可能说了，上面的输出电流默认是3A的，我的负载最多就2A，那很好办，你将输出电流改为2A，然后点生成设计即可。然后就会生成一个新的原理图及参数表，如下所示，对比上一个图，你会发现输出电流和电感值均变化了，也就是说，这个工具自动帮你设计好参数了，而且DC-DC的效率也提高了。其他参数的设置也是同样的道理。然后你说我想看看Bode图，看一看幅频和相频曲线，当然也是支持的，而且支持三个维度，分别是Loop

plot如下所示。会发现在1K电阻不变的情况下，增加了电容量，导致相移比1uF的严重，因为电流一定的时候，电容量越大，充电时间越长，电压的变化量dv/dt越小。(3)

还记得在刚毕业时，硬件工程师的笔试题中经常考RC积分电路和微分电路。1.

电子产品，如电脑，鼠标，充电器，包括汽车等，在我们的身边有很多接口，带你认识这些接口，知道长什么样子，用在什么地方，怎么用，原理是什么？这篇文章仅仅作为简单描述，入门级。一、串口二、UART三、TTL电平四、USB五、RS-232六、RS-485七、IIC八、SPI九、CAN十、1-WIRE一、串口1、串口概述

小结一下了解了LDO和DC-DC的区别之后，能很好的进行选择，比如：输入输出压差大，选择DC-DC；降压型且输入输出压差小，选择LDO；需要很大的输出电流选择DC-DC，升压只能选择DC-DC等。